收藏本站
IRF9530NS/L
VDS
L
700
TOP
I D
-3.4A
600
-5.9A
RG
-2 0 V
tp
D .U .T
IA S
0 .0 1 ?
D R IV E R
VD D
A
500
400
BOTTOM -8.4A
300
15V
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
200
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature ( C)
I AS
°
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
tp
V (BR)DSS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
-10V
V G
Q GS
Q G
Q GD
12V
V GS
.2 μ F
.3 μ F
-3mA
D.U.T.
V DS
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF9540NSTRR MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
IRF9540SPBF MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
IRF9610SPBF MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
IRF9630STRLPBF MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
IRF9Z14STRLPBF MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
IRF9Z20 MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
IRF9Z24NSTRR MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
IRF9Z24STRLPBF MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRF9530NSTRRPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9530PBF 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9530S 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9530SMD 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
IRF9530SPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9530STRL 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9530STRLPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9530STRR 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube